濺射是一種用帶電粒子轟擊靶材，加速的離子轟擊固體表面時(shí)，發(fā)生表面原子碰撞并發(fā)生能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移，使靶材原子從表面逸出并淀積在襯底材料上并形成一層膜。
與真空蒸鍍相比，可以形成致密性較好精度的薄膜。
此外，此外，也可以使用蒸鍍中不能夠使用的高熔點(diǎn)材料，因此它們是目前超LSI和半導(dǎo)體領(lǐng)域重要的材料。

PVD（Physical Vapor Deposition的簡(jiǎn)稱，即物理氣相沉積）涂層在相對(duì)較低的溫度（400至600℃）下形成。 在此過(guò)程中，被蒸發(fā)的金屬在基板表面形成涂層。

CVD是Chemical Vapor Deposition的省略，即化學(xué)氣相沉積。 （Chemical即化學(xué)；Vapor即蒸汽；Deposition即沉積）作為形成各物質(zhì)的薄膜的蒸鍍方法之一，通常用于切削工具的表面處理和半導(dǎo)體元件的制造工序。

離子注入是一種將物質(zhì)離子注入固體的處理方法。由于離子注入后，固體的特性發(fā)生了變化，因此被交廣應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)、金屬表面處理等各領(lǐng)域。通過(guò)離子注入，可以使物質(zhì)發(fā)生化學(xué)變化同時(shí)破壞物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，使物質(zhì)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化。

真空熱處理爐是一種將真空室內(nèi)的空氣排出并在真空狀態(tài)下進(jìn)行熱處理的設(shè)備。優(yōu)點(diǎn)為：①在加熱時(shí)工件不會(huì)氧化；②前道工序表面處理過(guò)的工件也可以進(jìn)行脫泡處理；③以免加熱不均勻；④控制工件的變形等。

真空機(jī)械手臂是一種在真空環(huán)境下進(jìn)行工作的機(jī)械手臂。

園晶由單晶硅晶棒加工而成，單晶硅晶棒則是由多晶硅原材料加工而成的。
在坩堝中的熔化的硅的液面放入將籽晶，邊旋轉(zhuǎn)邊向上拉，這樣拉出了原子排列方向相同的單晶硅晶棒。

這是一般使用的稱之為CZ制造工藝。

磁流體是利用磁場(chǎng)將磁液固定在密封軸的周圍，形成動(dòng)態(tài)密封的旋轉(zhuǎn)密封元件。

邊高速旋轉(zhuǎn)邊密封氣體以及霧氣。
磁回路由磁鐵，磁極以及旋轉(zhuǎn)軸組成。

磁液是一種液體，磁液可以像鐵一樣被磁鐵吸住。

磁液誕生于1960年代初，NASA（美國(guó)宇航局）的阿波羅計(jì)劃的發(fā)明了磁液，用于太空服的可動(dòng)部分的密封、失重狀態(tài)下向火箭發(fā)動(dòng)機(jī)輸送液體燃料。